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Sabe-se que a deposição por camadas atômicas (ALD) de óxidos metálicos, em especial da alumina (Al2O3), quando operada em modo térmico (150ºC), tem uso frequente da água deionizada como precursor oxidante do precursor metálico, i.e. o trimetilalumínio (TMA). No entanto, a taxa de crescimento por ciclo (GPC) do filme de Al2O3 para TMA + H2O […]